Intel 최첨단 팹 투어로 본 반도체 미래 공정: GAA 트랜지스터, 후면 전력 공급, CFET, 하이브리드 본딩과 AI 수요 급증 대응

What will computer chips look like in 2045?

Dwarkesh Podcast의 진행자가 이틀간 Intel의 최첨단 팹을 둘러보고 기술 경영진과 대화해 차세대 칩 구조를 정리했다. 기사는 AI 컴퓨트 수요가 지난 10년간 연 3배씩 늘어난 상황에서 공급이 수요를 따라잡기 어려운 이유를 짚는다. 기사는 gate-all-around 트랜지스터, backside power, CFET, 하이브리드 본딩 같은 기술을 다루며, Intel이 새 공정 노드를 도입하는 과정, 10nm에서 얻은 교훈, 평면 트랜지스터에서 gate-all-around로의 전환을 설명한다. 또한 High-NA EUV가 Intel에는 이득이 되지만 TSMC에는 그렇지 않다는 판단, 구리 배선을 루테늄으로 대체하는 방향, 적층 트랜지스터가 실제 출하까지 10년이 걸리는 이유도 포함된다. AI 수요에 대해서는 Intel CTO의 발언으로, 현재 전 세계가 보유한 칩 제조 장비로는 최첨단 웨이퍼 생산량을 두 배로 늘리는 것이 가능하다고 소개한다. 기사에는 칩 간 연결 병목, 장비가 부족해 생산을 10배로 늘리기 어렵다는 점, Intel이 TSMC를 따라잡을 수 있는지, Terafab로 팹을 처음부터 다시 생각하는 구상도 다뤄진다. 기사는 수요가 공급을 크게 앞서는 교차점을 늦추기 위해 파운드리가 쓸 수 있는 방법을 질문으로 제기하며, 이에 대한 구체적 해법은 본문에서 Intel 경영진의 답변 형태로 이어진다.